CSD86330Q3D
참조 용
| 부품 번호 | CSD86330Q3D | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | CSD86330Q3D | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 6,998 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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CSD86330Q3D 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD86330Q3D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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- CSD86330Q3D Distributor
CSD86330Q3D 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
| 전력-최대 | 6W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-LSON (3.3x3.3) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 880mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 155pF @ 20V 전력-최대 272mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
