CSD87331Q3D
참조 용
| 부품 번호 | CSD87331Q3D |
| PNEDA 부품 번호 | CSD87331Q3D |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 227,310 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD87331Q3D 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD87331Q3D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD87331Q3D 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V, 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 518pF @ 15V |
| 전력-최대 | 6W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-LSON (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 235pF @ 15V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 210pF @ 50V 전력-최대 1.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 950mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1.6µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.32nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 63pF @ 10V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 800mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 268pF @ 10V, 250pF @ 10V 전력-최대 500mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 UF6 |
