CSD87335Q3DT
참조 용
| 부품 번호 | CSD87335Q3DT |
| PNEDA 부품 번호 | CSD87335Q3DT |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 25A |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 14,808 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD87335Q3DT 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD87335Q3DT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD87335Q3DT 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1050pF @ 15V |
| 전력-최대 | 6W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-LSON (3.3x3.3) |
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제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능 Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (최대) @ Id 1.26V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 16-PDIP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1995pF @ 40V 전력-최대 187W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 8 x 8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 8 x 8 Dual |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 750mA, 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 16V 전력-최대 500mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 X1-DFN1612-6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 133mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 830mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 94mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.8nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 355pF @ 10V 전력-최대 6.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
