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TT8J11TCR

TT8J11TCR

참조 용

부품 번호 TT8J11TCR
PNEDA 부품 번호 TT8J11TCR
설명 MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,312
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TT8J11TCR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TT8J11TCR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
TT8J11TCR, TT8J11TCR 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 2,343.18 KB)
PDFTT8J11TCR 데이터 시트 표지
TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 2 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 3 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 4 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 5 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 6 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 7 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 8 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 9 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 10 TT8J11TCR 데이터 시트 페이지 11

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TT8J11TCR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2600pF @ 6V
전력-최대650mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-TSST

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

APTM100A46FT1G

Microsemi

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

552mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

NVMFD5489NLWFT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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IRF7335D1TR

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Infineon Technologies

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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