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CY62126DV30L-55BVXE

CY62126DV30L-55BVXE

참조 용

부품 번호 CY62126DV30L-55BVXE
PNEDA 부품 번호 CY62126DV30L-55BVXE
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,244
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY62126DV30L-55BVXE 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY62126DV30L-55BVXE
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY62126DV30L-55BVXE, CY62126DV30L-55BVXE 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 364.89 KB)
PDFCY62126DV30L-55ZSXET 데이터 시트 표지
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CY62126DV30L-55BVXE 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈MoBL®
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급2.2V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-VFBGA
공급자 장치 패키지48-VFBGA (6x8)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

IS42S16400J-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x8)

MX25R4035FM1IL0

Macronix

제조업체

Macronix

시리즈

MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 10ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

MT48LC16M16A2P-7E AIT:G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

FM24V01-GTR

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

3.4MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

130ns

전압-공급

2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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