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CY7C1041BNV33L-12VXCT

CY7C1041BNV33L-12VXCT

참조 용

부품 번호 CY7C1041BNV33L-12VXCT
PNEDA 부품 번호 CY7C1041BNV33L-12VXCT
설명 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,616
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1041BNV33L-12VXCT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1041BNV33L-12VXCT
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1041BNV33L-12VXCT, CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 374.88 KB)
PDFCY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 표지
CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 10 CY7C1041BNV33L-12VXCT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1041BNV33L-12VXCT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-SOJ

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기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

M24256-DRDW3TP/K

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IS42S16800E-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

IDT71V67803S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

CY7C1460AV33-167AXCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

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