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CY7C13201KV18-333BZXC

CY7C13201KV18-333BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C13201KV18-333BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C13201KV18-333BZXC
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,950
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C13201KV18-333BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C13201KV18-333BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C13201KV18-333BZXC, CY7C13201KV18-333BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 1,133.02 KB)
PDFCY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 표지
CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C13201KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C13201KV18-333BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C1320BV18-200BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

HTEE25608

Honeywell Aerospace

제조업체

Honeywell Aerospace

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel, SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

-55°C ~ 225°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

56-BCPGA

공급자 장치 패키지

56-CPGA

7134SA35CB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

48-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

48-SIDE BRAZED

PC28F640P30T85A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (10x13)

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