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CY7C1399B-12ZXC

CY7C1399B-12ZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1399B-12ZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1399B-12ZXC
설명 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1399B-12ZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1399B-12ZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1399B-12ZXC, CY7C1399B-12ZXC 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 189.72 KB)
PDFCY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 표지
CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1399BL-12ZXCT 데이터 시트 페이지 10

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  • CY7C1399B-12ZXC Distributor

CY7C1399B-12ZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지28-TSOP I

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메모리 유형

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기술

EPROM - UV

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

100ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window

공급자 장치 패키지

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

11LC080T-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Single Wire

시계 주파수

100kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

93AA46C/W15K

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

CY7C1062DV33-10BGIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (512K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

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