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DAN222G

DAN222G

참조 용

부품 번호 DAN222G
PNEDA 부품 번호 DAN222G
설명 DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $6.4269
100 ---------- $6.1256
250 ---------- $5.8244
500 ---------- $5.5231
750 ---------- $5.2721
1,000 ---------- $5.0210
재고 있음 30,323
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DAN222G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DAN222G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
DAN222G, DAN222G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 92.23 KB)
PDFNSVDAN222T1G 데이터 시트 표지
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DAN222G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 70V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SC-75, SOT-416

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

18A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 9A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

VS-40CPQ080GPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

910mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

270µA @ 80V

작동 온도-접합

175°C (Max)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

SDURB3030CTTR

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SBT250-04L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PB

MURF20010

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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