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DGD05473FNQ-7

DGD05473FNQ-7

참조 용

부품 번호 DGD05473FNQ-7
PNEDA 부품 번호 DGD05473FNQ-7
설명 HV GATE DRIVER U-DFN3030-10
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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DGD05473FNQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DGD05473FNQ-7
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
DGD05473FNQ-7, DGD05473FNQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 854.24 KB)
PDFDGD05473FNQ-7 데이터 시트 표지
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DGD05473FNQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.7V ~ 14V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 2.5A
입력 유형CMOS/TTL
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)50V
상승 / 하강 시간 (일반)16ns, 12ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스10-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN3030-10

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구동 구성

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2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

6V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.3A, 3.3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 15ns

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

9.4ns, 9.7ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

L6386

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

17V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 650mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-DIP

IXDD630MCI

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

30A, 30A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

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