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DGTD65T15H2TF

DGTD65T15H2TF

참조 용

부품 번호 DGTD65T15H2TF
PNEDA 부품 번호 DGTD65T15H2TF
설명 IGBT600V-XITO-220AB
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DGTD65T15H2TF 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DGTD65T15H2TF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
DGTD65T15H2TF, DGTD65T15H2TF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,787.84 KB)
PDFDGTD65T15H2TF 데이터 시트 표지
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  • Diodes Incorporated Distributor
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  • DGTD65T15H2TF Distributor

DGTD65T15H2TF 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A
전력-최대48W
에너지 전환270µJ (on), 86µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지61nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/128ns
테스트 조건400V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)150ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지ITO-220AB

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제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전류-수집기 펄스 (Icm)

700A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전력-최대

400W

에너지 전환

10mJ (on), 33mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

420nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/490ns

테스트 조건

960V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

700ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-PowerSMD, 21 Leads

공급자 장치 패키지

24-SMPD

SGS5N150UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5.5V @ 10V, 5A

전력-최대

50W

에너지 전환

190µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/30ns

테스트 조건

600V, 5A, 10Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

RGS50TSX2HRC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

395W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/140ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

SGW25N120FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

46A

전류-수집기 펄스 (Icm)

84A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 25A

전력-최대

313W

에너지 전환

3.7mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/730ns

테스트 조건

800V, 25A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRG4PC40UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

전력-최대

160W

에너지 전환

320µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/110ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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XC7Z030-1FBG676I

XC7Z030-1FBG676I

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MT25QL128ABA1ESE-0SIT

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

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IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2

IHLM2525CZER100M01

IHLM2525CZER100M01

Vishay Dale

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