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MMIX1G120N120A3V1

MMIX1G120N120A3V1

참조 용

부품 번호 MMIX1G120N120A3V1
PNEDA 부품 번호 MMIX1G120N120A3V1
설명 IGBT 1200V 220A 400W SMPD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMIX1G120N120A3V1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMIX1G120N120A3V1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
MMIX1G120N120A3V1, MMIX1G120N120A3V1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 248.25 KB)
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MMIX1G120N120A3V1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)220A
전류-수집기 펄스 (Icm)700A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 100A
전력-최대400W
에너지 전환10mJ (on), 33mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지420nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/490ns
테스트 조건960V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)700ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-PowerSMD, 21 Leads
공급자 장치 패키지24-SMPD

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ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

165W

에너지 전환

380µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/87ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRG4IBC20FDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14.3A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

34W

에너지 전환

250µJ (on), 640µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/240ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

400µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/143ns

테스트 조건

360V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

RGTH80TK65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

66W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/120ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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에너지 전환

115µJ (on), 165µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/28ns

테스트 조건

600V, 13A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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