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FGP20N60UFDTU

FGP20N60UFDTU

참조 용

부품 번호 FGP20N60UFDTU
PNEDA 부품 번호 FGP20N60UFDTU
설명 IGBT 600V 40A 165W TO220
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 23,340
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGP20N60UFDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGP20N60UFDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGP20N60UFDTU, FGP20N60UFDTU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 485.29 KB)
PDFFGPF10N60UNDF 데이터 시트 표지
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FGP20N60UFDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
전력-최대165W
에너지 전환380µJ (on), 260µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지63nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/87ns
테스트 조건400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)35ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

NGTB15N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

294W

에너지 전환

1.2mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

109nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

64ns/132ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

NGTB25N120FL2WAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

385W

에너지 전환

990µJ (on), 660µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

181nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/113ns

테스트 조건

600V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

136ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX4™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

440A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 75A

전력-최대

1150W

에너지 전환

4.5mJ (on), 2.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/182ns

테스트 조건

600V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

66ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

FGY75T120SQDN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

전력-최대

790W

에너지 전환

6.25mJ (on), 1.96mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

399nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

64ns/332ns

테스트 조건

600V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

99ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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