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DMC1016UPD-13

DMC1016UPD-13

참조 용

부품 번호 DMC1016UPD-13
PNEDA 부품 번호 DMC1016UPD-13
설명 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC1016UPD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC1016UPD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC1016UPD-13, DMC1016UPD-13 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 505.18 KB)
PDFDMC1016UPD-13 데이터 시트 표지
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  • DMC1016UPD-13 Distributor

DMC1016UPD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)12V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.5A, 8.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs32nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1454pF @ 6V
전력-최대2.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지PowerDI5060-8

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

285pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

IRF7324

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTJD4152PT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

155pF @ 20V

전력-최대

272mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

145mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

83pF @ 10V

전력-최대

390mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

SIZF906ADT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen IV

FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

전력-최대

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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