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PMGD130UN,115

PMGD130UN,115

참조 용

부품 번호 PMGD130UN,115
PNEDA 부품 번호 PMGD130UN-115
설명 MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,120
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMGD130UN 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMGD130UN,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMGD130UN, PMGD130UN 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,170.34 KB)
PDFPMGD130UN 데이터 시트 표지
PMGD130UN 데이터 시트 페이지 2 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 3 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 4 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 5 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 6 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 7 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 8 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 9 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 10 PMGD130UN 데이터 시트 페이지 11

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PMGD130UN 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs145mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds83pF @ 10V
전력-최대390mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

175A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

224nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13700pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

CSD87351Q5D

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1255pF @ 15V

전력-최대

12W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

8-LSON (5x6)

FDMS9620S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A, 10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

665pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-MLP (5x6), Power56

AOD607_001

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

PowerPAIR®, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc), 30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 15V, 650pF @ 15V

전력-최대

16W, 16.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-Power33 (3x3)

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