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DMC1028UFDB-7

DMC1028UFDB-7

참조 용

부품 번호 DMC1028UFDB-7
PNEDA 부품 번호 DMC1028UFDB-7
설명 MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 120,420
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC1028UFDB-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC1028UFDB-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC1028UFDB-7, DMC1028UFDB-7 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 660.98 KB)
PDFDMC1028UFDB-13 데이터 시트 표지
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DMC1028UFDB-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)12V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A, 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18.5nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds787pF @ 6V
전력-최대1.36W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

4-Picostar (1.31x1.31)

IRF7342TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

690pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

PMCXB1000UEZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

590mA (Ta), 410mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V

전력-최대

285mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN1010B-6

NTJD3158CT2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 820mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

BTS7904SAKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V, 30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6100pF @ 25V

전력-최대

69W, 96W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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