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DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7

참조 용

부품 번호 DMG1016VQ-7
PNEDA 부품 번호 DMG1016VQ-7
설명 MOSFET N/P-CH 20V SOT563
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMG1016VQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG1016VQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMG1016VQ-7, DMG1016VQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 475.32 KB)
PDFDMG1016VQ-13 데이터 시트 표지
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DMG1016VQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)870mA, 640mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds60.67pF @ 16V
전력-최대530mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC, 36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF, 2410pF @ 15V

전력-최대

3W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-HSOP

DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 25V

전력-최대

1.54W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

DMT3022UEV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

903pF @ 15V

전력-최대

900mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

FDMD82100

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1070pF @ 50V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25Ohm

Vgs (th) (최대) @ Id

10mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 5V

전력-최대

500mW

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Surface Mount

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