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DMG1026UV-7

DMG1026UV-7

참조 용

부품 번호 DMG1026UV-7
PNEDA 부품 번호 DMG1026UV-7
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 1,041,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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DMG1026UV-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG1026UV-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMG1026UV-7, DMG1026UV-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 304.08 KB)
PDFDMG1026UV-7 데이터 시트 표지
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DMG1026UV-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)410mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.45nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds32pF @ 25V
전력-최대580mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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Logic Level Gate

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1945pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AOC2802

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-UFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

4-WLCSP (1.57x1.57)

APTC90DDA12T1G

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Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 100V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

NTLJD3181PZTAG

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 10V

전력-최대

710mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

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