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DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7

참조 용

부품 번호 DMG1026UVQ-7
PNEDA 부품 번호 DMG1026UVQ-7
설명 MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 7,830
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMG1026UVQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG1026UVQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • DMG1026UVQ-7 Distributor

DMG1026UVQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)440mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.45pC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds32pF @ 25V
전력-최대650mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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제조업체

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

175A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

224nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13700pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A, 7.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1080pF @ 15V

전력-최대

3.1W, 2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SO

제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1366pF @ 16V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

FDPC8012S

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A, 26A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1075pF @ 13V

전력-최대

800mW, 900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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99A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

전력-최대

781W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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