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DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

참조 용

부품 번호 DMG8601UFG-7
PNEDA 부품 번호 DMG8601UFG-7
설명 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMG8601UFG-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG8601UFG-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMG8601UFG-7, DMG8601UFG-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 157.71 KB)
PDFDMG8601UFG-7 데이터 시트 표지
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DMG8601UFG-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds143pF @ 10V
전력-최대920mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerUDFN
공급자 장치 패키지U-DFN3030-8

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

STS3DNE60L

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

815pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IRF7338TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 9V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDG6301N-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

985pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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