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STS3DNE60L

STS3DNE60L

참조 용

부품 번호 STS3DNE60L
PNEDA 부품 번호 STS3DNE60L
설명 MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,682
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS3DNE60L 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS3DNE60L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STS3DNE60L, STS3DNE60L 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 308.5 KB)
PDFSTS3DNE60L 데이터 시트 표지
STS3DNE60L 데이터 시트 페이지 2 STS3DNE60L 데이터 시트 페이지 3 STS3DNE60L 데이터 시트 페이지 4 STS3DNE60L 데이터 시트 페이지 5 STS3DNE60L 데이터 시트 페이지 6 STS3DNE60L 데이터 시트 페이지 7 STS3DNE60L 데이터 시트 페이지 8

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STS3DNE60L 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds815pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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BSD235CH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA, 530mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1.6µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

47pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

SI3951DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

PMCXB900UELZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21.3pF @ 10V

전력-최대

380mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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