ALD210808PCL
참조 용
| 부품 번호 | ALD210808PCL |
| PNEDA 부품 번호 | ALD210808PCL |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,514 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ALD210808PCL 리소스
| 브랜드 | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ALD210808PCL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ALD210808PCL 사양
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 시리즈 | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET 유형 | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 10.6V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 20mV @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 16-PDIP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 370mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 18.5pF @ 30V 전력-최대 510mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 9µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 490pF @ 25V 전력-최대 29W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-4 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVII FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 1.2V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 42pF @ 10V 전력-최대 150mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.63A Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF @ 10V 전력-최대 1.16W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
