DMC25D1UVT-7
참조 용
| 부품 번호 | DMC25D1UVT-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | DMC25D1UVT-7 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 44,549 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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DMC25D1UVT-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMC25D1UVT-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMC25D1UVT-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V, 12V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA, 3.9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 27.6pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TSOT-26 |
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제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 4 N-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 864pF @ 30V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 12-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 V-DFN5045-12 |
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