DMC25D1UVT-7
참조 용
| 부품 번호 | DMC25D1UVT-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | DMC25D1UVT-7 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 44,549 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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DMC25D1UVT-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMC25D1UVT-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMC25D1UVT-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V, 12V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA, 3.9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 27.6pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TSOT-26 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 28.5pF @ 30V 전력-최대 320mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
