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DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

참조 용

부품 번호 DMHT6016LFJ-13
PNEDA 부품 번호 DMHT6016LFJ-13
설명 MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12
제조업체 Diodes Incorporated
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DMHT6016LFJ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMHT6016LFJ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMHT6016LFJ-13, DMHT6016LFJ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 412.2 KB)
PDFDMHT6016LFJ-13 데이터 시트 표지
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  • DMHT6016LFJ-13 Distributor

DMHT6016LFJ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형4 N-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds864pF @ 30V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스12-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지V-DFN5045-12

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1765pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

QH8KA4TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 15V

전력-최대

1.3W, 1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

394pF @ 30V

전력-최대

900mW

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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