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SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI4501ADY-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI4501ADY-T1-GE3
설명 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI4501ADY-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI4501ADY-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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SI4501ADY-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel, Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V, 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.3A, 4.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 22mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 10V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1950pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SSM6L39TU,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

800mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

143mOhm @ 600MA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

268pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

UF6

ALD1103PBL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40mA, 16mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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DMG8822UTS-13

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Diodes Incorporated

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

841pF @ 10V

전력-최대

870mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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