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SSM6L39TU,LF

SSM6L39TU,LF

참조 용

부품 번호 SSM6L39TU,LF
PNEDA 부품 번호 SSM6L39TU-LF
설명 MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,914
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6L39TU 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6L39TU,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SSM6L39TU 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)800mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs143mOhm @ 600MA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds268pF @ 10V
전력-최대500mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지UF6

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Cree/Wolfspeed

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FET 유형

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FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V (1.7kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

325A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 225A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1076nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 1000V

전력-최대

1760W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

DMC1028UFDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.5nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

787pF @ 6V

전력-최대

1.36W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

FDY2001PZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 10V

전력-최대

446mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563F

BSO615N

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

HS8K11TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.9mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

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패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

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