DMN2011UFX-7
참조 용
| 부품 번호 | DMN2011UFX-7 |
| PNEDA 부품 번호 | DMN2011UFX-7 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 69,066 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN2011UFX-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN2011UFX-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMN2011UFX-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12.2A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2248pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 4-VFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | V-DFN2050-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 60V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 - 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 750mA, 410mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.44nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 120pF @ 10V 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88 (SC-70-6) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-ECH |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 65A Rds On (최대) @ Id, Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 562nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15200pF @ 25V 전력-최대 1250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
