EPC2110
참조 용
| 부품 번호 | EPC2110 |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2110 |
| 설명 | GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,680 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2110 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2110 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EPC2110 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 120V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 60V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1350pF @ 13V 전력-최대 1.7W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric SA 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ SA |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 0.9V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 26pF @ 10V 전력-최대 120mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 EMT6 |
