EPC2110 데이터 시트
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제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 60V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 - 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 60V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
