EPC2110ENGRT
참조 용
| 부품 번호 | EPC2110ENGRT |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2110ENGRT |
| 설명 | GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 92,868 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2110ENGRT 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2110ENGRT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EPC2110ENGRT 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 120V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 60V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 20V 전력-최대 2W 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 370mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 18.5pF @ 30V 전력-최대 510mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363) |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 780mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
