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DMN2050LFDB-13

DMN2050LFDB-13

참조 용

부품 번호 DMN2050LFDB-13
PNEDA 부품 번호 DMN2050LFDB-13
설명 MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 82,368
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN2050LFDB-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN2050LFDB-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN2050LFDB-13, DMN2050LFDB-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 231.31 KB)
PDFDMN2050LFDB-7 데이터 시트 표지
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  • DMN2050LFDB-13 Distributor

DMN2050LFDB-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds389pF @ 10V
전력-최대730mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 4V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1947pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 5.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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83A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

450nC @ 10V

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