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TT8K1TR

TT8K1TR

참조 용

부품 번호 TT8K1TR
PNEDA 부품 번호 TT8K1TR
설명 MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TT8K1TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TT8K1TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
TT8K1TR, TT8K1TR 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 2,499.68 KB)
PDFTT8K1TR 데이터 시트 표지
TT8K1TR 데이터 시트 페이지 2 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 3 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 4 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 5 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 6 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 7 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 8 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 9 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 10 TT8K1TR 데이터 시트 페이지 11

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TT8K1TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds260pF @ 10V
전력-최대1W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-TSST

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시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA, 200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-MCPH

FDC6333C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

282pF @ 15V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

PMCXB900UELZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21.3pF @ 10V

전력-최대

380mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN1010B-6

IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

FASTIRFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

86A, 303A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1735pF @ 13V

전력-최대

156W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-PowerWFQFN

공급자 장치 패키지

32-PQFN (6x6)

QS8J13TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 6V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

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