DMN62D0UT-13
참조 용
| 부품 번호 | DMN62D0UT-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMN62D0UT-13 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,212 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN62D0UT-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN62D0UT-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DMN62D0UT-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | * |
| FET 유형 | - |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-363 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V, 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 630mA, 775mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 46pF @ 20V 전력-최대 270mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.6W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지 EFCP1616-4CE-022 |
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