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DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

참조 용

부품 번호 DMTH6004LPSQ-13
PNEDA 부품 번호 DMTH6004LPSQ-13
설명 MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
제조업체 Diodes Incorporated
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DMTH6004LPSQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH6004LPSQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMTH6004LPSQ-13, DMTH6004LPSQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 453.44 KB)
PDFDMTH6004LPSQ-13 데이터 시트 표지
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DMTH6004LPSQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs47.4nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4515pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.6W (Ta), 138W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerDI5060-8
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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25.5A (Ta), 60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.85mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1920pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-CPH

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3120pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3720pF @ 13V

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Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력 손실 (최대)

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