DN2625DK6-G
참조 용
| 부품 번호 | DN2625DK6-G |
| PNEDA 부품 번호 | DN2625DK6-G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,300 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DN2625DK6-G 리소스
| 브랜드 | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DN2625DK6-G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DN2625DK6-G 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Depletion Mode |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 250V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 0V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x5) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-75-6L Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-75-6L Dual |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A, 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 282pF @ 15V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 SuperSOT™-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 520mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 480pF @ 25V 전력-최대 3.3W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9pF @ 15V 전력-최대 125mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-963 공급자 장치 패키지 SOT-963 |
