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DSM2180F3-90T6

DSM2180F3-90T6

참조 용

부품 번호 DSM2180F3-90T6
PNEDA 부품 번호 DSM2180F3-90T6
설명 IC FLASH 1M PARALLEL 52PQFP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,968
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DSM2180F3-90T6 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DSM2180F3-90T6
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DSM2180F3-90T6, DSM2180F3-90T6 데이터 시트 (총 페이지: 63, 크기: 809.58 KB)
PDFDSM2180F3V-15K6 데이터 시트 표지
DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 2 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 3 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 4 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 5 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 6 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 7 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 8 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 9 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 10 DSM2180F3V-15K6 데이터 시트 페이지 11

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DSM2180F3-90T6 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간90ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스52-QFP
공급자 장치 패키지52-PQFP (10x10)

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.35x13.89)

IS64WV102416BLL-10MLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-miniBGA (9x11)

MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-TBGA

공급자 장치 패키지

152-TBGA (14x18)

LE25U81AQETXG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

500µs

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VDFN/VSONT (6x5)

MT46V64M8P-75:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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