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DTA123JEBHZGTL

DTA123JEBHZGTL

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부품 번호 DTA123JEBHZGTL
PNEDA 부품 번호 DTA123JEBHZGTL
설명 PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
제조업체 Rohm Semiconductor
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DTA123JEBHZGTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DTA123JEBHZGTL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
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  • DTA123JEBHZGTL Distributor

DTA123JEBHZGTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환250MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지EMT3F (SOT-416FL)

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80mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

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장착 유형

Surface Mount

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Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

150MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

PG-TSLP-3-4

DRC3143T0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10µA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

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