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ECH8651R-TL-H

ECH8651R-TL-H

참조 용

부품 번호 ECH8651R-TL-H
PNEDA 부품 번호 ECH8651R-TL-H
설명 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
제조업체 ON Semiconductor
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ECH8651R-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ECH8651R-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ECH8651R-TL-H, ECH8651R-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 304.66 KB)
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ECH8651R-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-ECH

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1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

147A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 20mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

322nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 1000V

전력-최대

625W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

960mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3876pF @ 25V

전력-최대

208W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1050pF @ 25V

전력-최대

48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

PMGD780SN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

490mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

920mOhm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.05nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23pF @ 30V

전력-최대

410mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

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