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ECH8675-TL-H

ECH8675-TL-H

참조 용

부품 번호 ECH8675-TL-H
PNEDA 부품 번호 ECH8675-TL-H
설명 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A ECH8
제조업체 ON Semiconductor
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ECH8675-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ECH8675-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ECH8675-TL-H, ECH8675-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 304.11 KB)
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ECH8675-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds670pF @ 10V
전력-최대1.5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-ECH

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

ALD1105PBL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-PDIP

ZXMD63C02XTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 15V

전력-최대

1.04W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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8-MSOP

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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