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EL7155CN

EL7155CN

참조 용

부품 번호 EL7155CN
PNEDA 부품 번호 EL7155CN
설명 IC DVR PIN 40MHZ 3STATE 8DIP
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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재고 있음 6,192
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EL7155CN 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EL7155CN
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
EL7155CN, EL7155CN 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 588.67 KB)
PDFEL7155CS-T7 데이터 시트 표지
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EL7155CN 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형IGBT
전압-공급4.5V ~ 16.5V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3.5A, 3.5A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)14.5ns, 15ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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Richtek USA Inc.

제조업체

Richtek USA Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

300mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

LT1161ISW#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 48V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SOIC

MAX5048BAUT-T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.3A, 7.6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

82ns, 12.5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

FAN7080M-GF085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

300mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UCC27524DSDT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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