EPC2100ENG
참조 용
| 부품 번호 | EPC2100ENG |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2100ENG |
| 설명 | GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,502 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2100ENG 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2100ENG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EPC2100ENG 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 Z-FET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 168A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 3.1V @ 50mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9500pF @ 800V 전력-최대 568W 작동 온도 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1450pF @ 10V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 440pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A, 3.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 510pF @ 10V 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 ChipFET™ |
