EPC2101
참조 용
| 부품 번호 | EPC2101 |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2101 |
| 설명 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 98,832 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2101 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2101 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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EPC2101 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.5A, 38A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 195pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지 6-DSBGA (1x1.5) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9.5pF @ 10V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 SuperSOT™-6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 380pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 PG-DSO-8 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
