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EPC2103

EPC2103

참조 용

부품 번호 EPC2103
PNEDA 부품 번호 EPC2103
설명 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
제조업체 EPC
단가 견적 요청
재고 있음 78,552
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EPC2103 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2103
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EPC2103, EPC2103 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 1,715.9 KB)
PDFEPC2103ENG 데이터 시트 표지
EPC2103ENG 데이터 시트 페이지 2 EPC2103ENG 데이터 시트 페이지 3 EPC2103ENG 데이터 시트 페이지 4 EPC2103ENG 데이터 시트 페이지 5 EPC2103ENG 데이터 시트 페이지 6 EPC2103ENG 데이터 시트 페이지 7

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EPC2103 사양

제조업체EPC
시리즈eGaN®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds760pF @ 40V
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 10V

전력-최대

520mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A, 2.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC75-6 FLMP

공급자 장치 패키지

SC75-6 FLMP

SI9936DY

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

525pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

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2.8W

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