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SI3850ADV-T1-GE3

SI3850ADV-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI3850ADV-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI3850ADV-T1-GE3
설명 MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI3850ADV-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI3850ADV-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI3850ADV-T1-GE3, SI3850ADV-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 116.27 KB)
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SI3850ADV-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel, Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.4A, 960mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.08W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지6-TSOP

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제조업체

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

469pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

SI7994DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3500pF @ 15V

전력-최대

46W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

XP0487800L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1860pF @ 15V

전력-최대

2.8W

작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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