EPC2104
참조 용
| 부품 번호 | EPC2104 |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2104 |
| 설명 | GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 78,798 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2104 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2104 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EPC2104 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 800pF @ 50V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 185pF @ 10V 전력-최대 510mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN2020-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 435pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-MicroFET (2x2) |
제조업체 IXYS 시리즈 TrenchMV™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 140A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 170nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7600pF @ 25V 전력-최대 150W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUSi5-Pak™ |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 900mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 81pF @ 15V 전력-최대 390mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.13W, 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
