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EPC2105

EPC2105

참조 용

부품 번호 EPC2105
PNEDA 부품 번호 EPC2105
설명 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
제조업체 EPC
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EPC2105 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2105
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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EPC2105 사양

제조업체EPC
시리즈eGaN®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.5A, 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

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2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

485mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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AO8801L

Alpha & Omega Semiconductor

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

FDZ1905PZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

126mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

6-WLCSP (1.0x1.5)

NX3020NAKV,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

전력-최대

375mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

95pF @ 15V

전력-최대

1.25W

작동 온도

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