FDZ1905PZ
참조 용
| 부품 번호 | FDZ1905PZ | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | FDZ1905PZ | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2P-CH 6-WLCSP | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 7,466 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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FDZ1905PZ 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDZ1905PZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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FDZ1905PZ 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 126mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 900mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UFBGA, WLCSP |
| 공급자 장치 패키지 | 6-WLCSP (1.0x1.5) |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1030pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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