Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

참조 용

부품 번호 FCP11N60N-F102
PNEDA 부품 번호 FCP11N60N-F102
설명 MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FCP11N60N-F102 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FCP11N60N-F102
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FCP11N60N-F102, FCP11N60N-F102 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 762.13 KB)
PDFFCP11N60N-F102 데이터 시트 표지
FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 2 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 3 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 4 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 5 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 6 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 7 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 8 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 9 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 10 FCP11N60N-F102 데이터 시트 페이지 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • FCP11N60N-F102 Datasheet
  • where to find FCP11N60N-F102
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FCP11N60N-F102
  • FCP11N60N-F102 PDF Datasheet
  • FCP11N60N-F102 Stock

  • FCP11N60N-F102 Pinout
  • Datasheet FCP11N60N-F102
  • FCP11N60N-F102 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FCP11N60N-F102 Price
  • FCP11N60N-F102 Distributor

FCP11N60N-F102 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs299mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35.6nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1505pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)94W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

관심을 가질만한 제품

STP25N80K5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH5™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 19.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

FCB290N80

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3205pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

212W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSC22DN20NS3GATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 13µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

430pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-5

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

MMDF3N02HDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

94-4007

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

68W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

최근 판매

IXGH10N300

IXGH10N300

IXYS

IGBT 3000V 18A 100W TO247AD

EVN-D8AA03B54

EVN-D8AA03B54

Panasonic Electronic Components

TRIMMER 50K OHM 0.1W PC PIN TOP

SRU8043-100Y

SRU8043-100Y

Bourns

FIXED IND 10UH 3.5A 30 MOHM SMD

UC3842BN

UC3842BN

ON Semiconductor

IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8-DIP

YC324-JK-072KL

YC324-JK-072KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 2K OHM 2012

FXMA2102UMX

FXMA2102UMX

ON Semiconductor

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8MLP

LTC1760IFW#PBF

LTC1760IFW#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC MANAGER BATTERY DUAL 48TSSOP

NRVBS3200T3G

NRVBS3200T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB

TS4984IQT

TS4984IQT

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO PWR 1.2W AB 16TQFN

24LC512T-I/SN

24LC512T-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIC

GRM21AR72E102KW01D

GRM21AR72E102KW01D

Murata

CAP CER 1000PF 250V X7R 0805

2EDN7424FXTMA1

2EDN7424FXTMA1

Infineon Technologies

IC GATE DRIVER DSO8