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FCPF22N60NT

FCPF22N60NT

참조 용

부품 번호 FCPF22N60NT
PNEDA 부품 번호 FCPF22N60NT
설명 MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,024
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FCPF22N60NT 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FCPF22N60NT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FCPF22N60NT, FCPF22N60NT 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 754.77 KB)
PDFFCPF22N60NT 데이터 시트 표지
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FCPF22N60NT 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SupreMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs165mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (최대)±45V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1950pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)39W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9Ohm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON6544

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

AlphaMOS

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Ta), 85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5910pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

7.4W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

SQJ469EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 10.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

JANTX2N6764T1

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4W (Ta), 150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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PSMN7R0-30YL,115

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

76A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.15V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1270pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

51W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

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