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FDC6020C

FDC6020C

참조 용

부품 번호 FDC6020C
PNEDA 부품 번호 FDC6020C
설명 MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,202
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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FDC6020C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDC6020C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDC6020C, FDC6020C 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 211.51 KB)
PDFFDC6020C_F077 데이터 시트 표지
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FDC6020C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.9A, 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds677pF @ 10V
전력-최대1.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지SuperSOT™-6 FLMP

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

83mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

255nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7290pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI5935CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

455pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

SI7958DP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

CSD87334Q3DT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 12A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1260pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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